Aufgrund der Seltenheit von natürlichem Moissanit ist das meiste Siliziumkarbid synthetisch.Es wird als Schleifmittel und neuerdings auch als Halbleiter- und Diamantsimulans in Edelsteinqualität verwendet.Der einfachste Herstellungsprozess besteht darin, Quarzsand und Kohlenstoff in einem Acheson-Graphit-Elektrowiderstandsofen bei einer hohen Temperatur zwischen 1.600 °C (2.910 °F) und 2.500 °C (4.530 °F) zu kombinieren.Feine SiO2-Partikel in Pflanzenmaterial (z. B. Reisschalen) können durch Erhitzen des überschüssigen Kohlenstoffs aus dem organischen Material in SiC umgewandelt werden.Der Quarzstaub, ein Nebenprodukt bei der Herstellung von Siliziummetall und Ferrosiliziumlegierungen, kann auch durch Erhitzen mit Graphit auf 1.500 °C (2.730 °F) in SiC umgewandelt werden.
F12-F1200, P12-P2500
0–1 mm, 1–3 mm, 6/10, 10/18, 200 Maschen, 325 Maschen
Weitere Sonderspezifikationen können auf Anfrage geliefert werden.
Streugut | Sic | FC | Fe2O3 |
F12-F90 | ≥98,50 | <0,20 | ≤0,60 |
F100-F150 | ≥98,00 | <0,30 | ≤0,80 |
F180-F220 | ≥97,00 | <0,30 | ≤1,20 |
F230-F400 | ≥96,00 | <0,40 | ≤1,20 |
F500-F800 | ≥95,00 | <0,40 | ≤1,20 |
F1000-F1200 | ≥93,00 | <0,50 | ≤1,20 |
P12-P90 | ≥98,50 | <0,20 | ≤0,60 |
P100-P150 | ≥98,00 | <0,30 | ≤0,80 |
P180-P220 | ≥97,00 | <0,30 | ≤1,20 |
P230-P500 | ≥96,00 | <0,40 | ≤1,20 |
P600-P1500 | ≥95,00 | <0,40 | ≤1,20 |
P2000-P2500 | ≥93,00 | <0,50 | ≤1,20 |
Grütze | Schüttdichte (g/cm3) | Hohe Dichte (g/cm3) | Grütze | Schüttdichte (g/cm3) | Hohe Dichte (g/cm3) |
F16 ~ F24 | 1,42~1,50 | ≥1,50 | F100 | 1,36~1,45 | ≥1,45 |
F30 ~ F40 | 1,42~1,50 | ≥1,50 | F120 | 1,34~1,43 | ≥1,43 |
F46 ~ F54 | 1,43~1,51 | ≥1,51 | F150 | 1,32~1,41 | ≥1,41 |
F60 ~ F70 | 1,40~1,48 | ≥1,48 | F180 | 1,31~1,40 | ≥1,40 |
F80 | 1,38~1,46 | ≥1,46 | F220 | 1,31~1,40 | ≥1,40 |
F90 | 1,38~1,45 | ≥1,45 |
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