Aufgrund der Seltenheit von natürlichem Moissanit ist Siliziumkarbid meist synthetisch. Es wird als Schleifmittel und in jüngerer Zeit auch als Halbleiter und Diamant-Imitat in Edelsteinqualität verwendet. Das einfachste Herstellungsverfahren besteht darin, Quarzsand und Kohlenstoff in einem Acheson-Graphit-Widerstandsofen bei hohen Temperaturen zwischen 1.600 °C (2.910 °F) und 2.500 °C (4.530 °F) zu kombinieren. Feine SiO2-Partikel in Pflanzenmaterial (z. B. Reishülsen) können durch Erhitzen des überschüssigen Kohlenstoffs aus dem organischen Material in SiC umgewandelt werden. Der Silicastaub, ein Nebenprodukt der Herstellung von Siliziummetall und Ferrosiliziumlegierungen, kann ebenfalls durch Erhitzen mit Graphit auf 1.500 °C (2.730 °F) in SiC umgewandelt werden.
F12-F1200, P12-P2500
0–1 mm, 1–3 mm, 6/10, 10/18, 200 Maschen, 325 Maschen
Weitere Sonderspezifikationen sind auf Anfrage möglich.
Streugut | Sic | FC | Fe2O3 |
F12-F90 | ≥98,50 | <0,20 | ≤0,60 |
F100-F150 | ≥98,00 | <0,30 | ≤0,80 |
F180-F220 | ≥97,00 | <0,30 | ≤1,20 |
F230-F400 | ≥96,00 | <0,40 | ≤1,20 |
F500-F800 | ≥95,00 | <0,40 | ≤1,20 |
F1000-F1200 | ≥93,00 | <0,50 | ≤1,20 |
P12-P90 | ≥98,50 | <0,20 | ≤0,60 |
P100-P150 | ≥98,00 | <0,30 | ≤0,80 |
P180-P220 | ≥97,00 | <0,30 | ≤1,20 |
P230-P500 | ≥96,00 | <0,40 | ≤1,20 |
P600-P1500 | ≥95,00 | <0,40 | ≤1,20 |
P2000-P2500 | ≥93,00 | <0,50 | ≤1,20 |
Grütze | Schüttdichte (g/cm3) | Hohe Dichte (g/cm3) | Grütze | Schüttdichte (g/cm3) | Hohe Dichte (g/cm3) |
F16 ~ F24 | 1,42~1,50 | ≥1,50 | F100 | 1,36~1,45 | ≥1,45 |
F30 ~ F40 | 1,42~1,50 | ≥1,50 | F120 | 1,34~1,43 | ≥1,43 |
F46 ~ F54 | 1,43~1,51 | ≥1,51 | F150 | 1,32~1,41 | ≥1,41 |
F60 ~ F70 | 1,40~1,48 | ≥1,48 | F180 | 1,31~1,40 | ≥1,40 |
F80 | 1,38~1,46 | ≥1,46 | F220 | 1,31~1,40 | ≥1,40 |
F90 | 1,38~1,45 | ≥1,45 |
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