Da natürlicher Moissanit selten ist, wird Siliciumcarbid meist synthetisch hergestellt. Es findet Verwendung als Schleifmittel und seit Kurzem auch als Halbleiter und Diamantimitat in Edelsteinqualität. Das einfachste Herstellungsverfahren besteht darin, Quarzsand und Kohlenstoff in einem elektrischen Widerstandsofen (Acheson-Graphitofen) bei hoher Temperatur zwischen 1600 °C und 2500 °C zu vermischen. Feine SiO₂-Partikel in Pflanzenmaterialien (z. B. Reishülsen) lassen sich durch Erhitzen mit dem überschüssigen Kohlenstoff des organischen Materials in SiC umwandeln. Auch Silicastaub, ein Nebenprodukt der Siliciummetall- und Ferrosiliciumlegierungsherstellung, kann durch Erhitzen mit Graphit bei 1500 °C in SiC umgewandelt werden.
F12-F1200, P12-P2500
0–1 mm, 1–3 mm, 6/10, 10/18, 200 Mesh, 325 Mesh
Weitere Sonderspezifikationen können auf Anfrage bereitgestellt werden.
| Streugut | Sic | FC | Fe2O3 |
| F12-F90 | ≥98,50 | <0,20 | ≤0,60 |
| F100-F150 | ≥98,00 | <0,30 | ≤0,80 |
| F180-F220 | ≥97,00 | <0,30 | ≤1,20 |
| F230-F400 | ≥96,00 | <0,40 | ≤1,20 |
| F500-F800 | ≥95,00 | <0,40 | ≤1,20 |
| F1000-F1200 | ≥93,00 | <0,50 | ≤1,20 |
| P12-P90 | ≥98,50 | <0,20 | ≤0,60 |
| P100-P150 | ≥98,00 | <0,30 | ≤0,80 |
| P180-P220 | ≥97,00 | <0,30 | ≤1,20 |
| P230-P500 | ≥96,00 | <0,40 | ≤1,20 |
| P600-P1500 | ≥95,00 | <0,40 | ≤1,20 |
| P2000-P2500 | ≥93,00 | <0,50 | ≤1,20 |
| Grütze | Schüttdichte (g/cm3) | Hohe Dichte (g/cm3) | Grütze | Schüttdichte (g/cm3) | Hohe Dichte (g/cm3) |
| F16 ~ F24 | 1,42–1,50 | ≥1,50 | F100 | 1,36–1,45 | ≥1,45 |
| F30 ~ F40 | 1,42–1,50 | ≥1,50 | F120 | 1,34–1,43 | ≥1,43 |
| F46 ~ F54 | 1,43–1,51 | ≥1,51 | F150 | 1,32–1,41 | ≥1,41 |
| F60 ~ F70 | 1,40–1,48 | ≥1,48 | F180 | 1,31–1,40 | ≥1,40 |
| F80 | 1,38–1,46 | ≥1,46 | F220 | 1,31–1,40 | ≥1,40 |
| F90 | 1,38–1,45 | ≥1,45 |
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